三星电子和SK海力士升级中国工厂生产先进闪存芯片

三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的NAND闪存芯片。三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标在2026年12月实现每月5000片晶圆产量，并在2027年12月将月产量提升至4万片。SK海力士则计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品。

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