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三星电子和SK海力士升级中国工厂生产先进闪存芯片
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AI 综述
三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的NAND闪存芯片。三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标在2026年12月实现每月5000片晶圆产量，并在2027年12月将月产量提升至4万片。SK海力士则计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品。
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最新进展10月21日 17:15
三星电子和SK海力士中国工厂升级计划，目标产量提升至每月5000片晶圆，并计划在2027年12月达到每月4万片产量。报道时间线
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10月21日
- IT之家三星电子、SK 海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片
三星电子和SK海力士正升级中国工厂，以生产200层以上的NAND闪存芯片。三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，并在2027年12月将月产量提升至4万片。SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品。
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