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美光G11 NAND闪存发布预告
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AI 综述
美光公司预告其下一代G11 NAND闪存，堆叠超过400层，存储密度和I/O速率显著提升，并引入AI优化存储解决方案。早先报道称美光将推出G11 NAND，但未提及具体技术细节。
AI 根据报道生成 · 48 分钟前更新
最新进展10月22日 10:05
美光预告G11 NAND闪存将于2027年下半年开始产能爬坡。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- IT之家美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
美光预告其下一代 G11 NAND 闪存，堆叠超过 400 层，存储密度和 I/O 速率显著提升，并引入 AI 优化存储解决方案。
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