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美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
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AI 导读
美光预告其下一代 G11 NAND 闪存，堆叠超过 400 层，存储密度和 I/O 速率显著提升，并引入 AI 优化存储解决方案。
🔍Agent 事实核验存疑待定
目前未找到任何权威媒体或官方声明证实美光预告的 G11 NAND 闪存超 400 层堆叠、双倍密度及 2027H2 产能爬坡的消息。
来源：IT之家 · ithome.com
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