三星与台积电合作生产英伟达下一代HBM基底裸片

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   IT之家

   三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

   三星电子将采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件——基底裸片。此举标志着三星与台积电在技术合作上的重要进展，并有助于提升HBM产品的性能和一致性。

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