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美光转向3D DRAM发展
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美光在2026年度技术网络研讨会上表示，4F² DRAM由于复杂度和成本问题，没有可行的规模化路径，选择3D DRAM作为未来发展方向。美光第7代10nm级DRAM节点1δ已进入良率爬坡阶段，第8代10nm级节点1ε引入晶圆键合技术，第1代亚10nm级节点ζÅ导入High NA EUV光刻。1δ工艺可带来约25%的代际存储密度提升，并优化成本。
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Latest Update10月22日 09:31
美光宣布转向3D DRAM发展，并推进多个DRAM节点工艺的研发。Coverage Timeline
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Oct 22
- IT之家美光技术研讨会：4F² DRAM 无可行扩展路径，3D DRAM 成未来发展方向
美光在2026年度技术网络研讨会上表示，4F² DRAM 由于复杂度和成本问题，没有可行的规模化路径，选择3D DRAM作为未来发展方向。美光第7代10nm级DRAM节点1δ已进入良率爬坡阶段，第8代10nm级节点1ε引入晶圆键合技术，第1代亚10nm级节点ζÅ导入High NA EUV光刻。1δ工艺可带来约25%的代际存储密度提升，并优化成本。
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