美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、 ζÅ 用 High NA EUV

美光在2026年度技术网络研讨会上表示，4F² DRAM 由于复杂度和成本问题，没有可行的规模化路径，选择3D DRAM作为未来发展方向。美光第7代10nm级DRAM节点1δ已进入良率爬坡阶段，第8代10nm级节点1ε引入晶圆键合技术，第1代亚10nm级节点ζÅ导入High NA EUV光刻。1δ工艺可带来约25%的代际存储密度提升，并优化成本。