Nvidia CEO Predicts No Memory Glut in 2029
先了解这件事
Nvidia CEO Huang Renxun stated that there will be no significant excess in the memory chip industry by 2029. He highlighted the continued widespread adoption of high-bandwidth memory HBM in the coming years and Nvidia's intention to continue using LPDDR memory, offering twice the energy efficiency of any current product in the world. This statement contradicts earlier reports that suggested a potential surplus in the memory chip market.
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事件进展
- 10月23日 07:36 · 2 篇报道黄仁勋：看不到2029年内存过剩迹象华尔街见闻 7x24 全球快讯：英伟达黄仁勋：2029年内存过剩可能性不大，HBM将持续广泛使用
- 10月22日 21:12 · 1 篇报道Nvidia CEO sees no sign of a 2029 memory glutCNBC Technology (科技股与商业资讯)：英伟达黄仁勋：2029年内存供应过剩的可能性不大
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
- IT之家英伟达黄仁勋：2029年内存芯片行业不太可能出现过剩，英伟达将继续大量使用
英伟达CEO黄仁勋表示，到2029年内存芯片行业不太可能出现过剩，高带宽内存HBM将在未来数年内持续广泛采用。英伟达还将继续大量使用LPDDR内存，提供比当今世界上任何产品高出一倍能效的性能。
- 华尔街见闻 7x24 全球快讯英伟达黄仁勋：2029年内存过剩可能性不大，HBM将持续广泛使用
英伟达CEO黄仁勋在GTC大会上表示，预计到2029年内存供应过剩的可能性不大，HBM将继续广泛使用。英伟达是全球首家将LPDDR内存引入数据中心的公司，其能效是当前全球任何产品的两倍。
- CNBC Technology (科技股与商业资讯)英伟达黄仁勋：2029年内存供应过剩的可能性不大
英伟达CEO黄仁勋表示，尽管近期内存股票出现抛售，但他认为到2029年内存供应过剩的可能性不大。黄仁勋强调，内存需求将持续增长，英伟达将继续使用大量内存。他还提到，中国半导体产业的进步得益于美国监管的推动。
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当前热度 27·可比范围峰值 27（10月23日 09:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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